Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о том, что технология транзисторов МОП нового поколения superjunction (SJ) DTMOS-IV power MOSFET впервые доступна в низкопрофильном корпусе с малым контуром DFN. Новые транзисторы МОП 600 В DTMOS-IV MOSFET в корпусе DFN идеально подходят для использования в высокоскоростных переключателях источников питания, дросселях освещения и других областях, требующих компактной альтернативы более распространенным устройствам D2PAK и DPAK.
При номинальных значениях тока от 9,7 А до более чем 30 А новые устройства семейства TKxV60W транзисторов МОП 600 В MOSFET обладают сверхнизкими номинальными значениями сопротивления открытого канала (RDS(ON)) от 0,38 Ом до всего 0,098 Ом. Лидирующие значения RDS(ON)*Qg обеспечивают высокую эффективность переключения, а низкая выходная емкость (Coss) позволяет оптимизировать работу при малых нагрузках. Каждое устройство также снабжено дополнительным считывающим штифтом для прямого подключения к драйверу.
Разработанный компанией Toshiba процесс DTMOS-IV позволяет создать транзисторы МОП MOSFET с температурным коэффициентом RDS(ON), превосходящим характеристики альтернативных устройств. Это позволяет использовать преимущества повышенной эффективности даже при высоких температурах. Подобно другим устройствам семейства Toshiba DTMOS-IV, новые транзисторы МОП DFN MOSFET обладают оптимизированной емкостью затвор-сток (Cgd), которая обеспечивает улучшенное управление переключением dv/dt. Поддержка более низких номинальных значений dv/dt также помогает уменьшить вероятность зацикливания в схемах быстродействующих переключателей.
При размере 8 x 8 мм корпус DFN имеет контур, который на 20 % меньше контура корпуса D2PAK. Профиль размером всего 0,85 мм почти в три раза меньше профиля традиционного устройства DPAK и более чем в пять раз меньше профиля устройства D2PAK.
В четвертом поколении транзисторов МОП с одним эпитаксиальным слоем Toshiba DTMOS-IV superjunction MOSFET используется процесс с глубокими канавками. Это позволяет уменьшить шаг канавок в сравнении с процессом третьего поколения (с несколькими эпитаксиальными слоями) и на 30 % улучшить сопротивление в открытом состоянии для соответствующего места присоединения.
