Mitsubishi Electric расширяет линейку HVIGBT-модулей X-серии

Корпорация Mitsubishi Electric объявила о предстоящем выпуске восьми новых HVIGBT-модулей X-серии. С их помощью можно увеличить производительность и уменьшить размеры инверторов, применяемых в высоковольтном сильноточном оборудовании, включая тяговые двигатели, преобразователи постоянного тока и промышленную технику. Модули будут представлены в трех классах напряжения — 3,3 кВ, 4,5 кВ и 6,5 кВ.

Новые HVIGBT-модули представят на выставке прецизионных электромоторов и электротехнических устройств MOTORTECH JAPAN (19-21 апреля, Тиба, Япония), на международных выставках систем преобразования энергии PCIM Europe (16-18 мая, Нюрнберг, Германия) и PCIM Asia (27-29 мая, Шанхай, Китай).

Поочередный запуск модулей начнется в сентябре 2017 года.

Сверхмощные модули от Mitsubishi Electric особенно востребованы на рынке энергетических систем, где требуется высокая производительность, надежность и максимальная эффективность. Первый HVIGBT-модуль от Mitsubishi Electric, выпущенный в 1997 году, позволил разработать более мощные и компактные высоковольтные преобразовательные системы. HVIGBT-модуль X-серии (6,5 кВ / 1000 A), выпущенный в 2015 году, предназначен для инверторных систем и оснащен биполярным транзистором с изолированным затвором (IGBT) седьмого поколения и диодом с мягкой характеристикой восстановления (далее — RFC).

Основные характеристики

1) Улучшенные показатели нагрузочной способности по мощности повышают производительность инверторов.

• Начиная с сентября 2017 года в продажу поступят три модуля на 3,3 кВ (один модуль с максимальным номинальным током 1200 A и два модуля мощностью 1800 A), три модуля на 4,5 кВ (900 A, 1350 A и 1500 A) и два модуля на 6,5 кВ (600 A и 900 A).
• К модулю на 6,5 кВ (1000 А), который сегодня занимает лидирующие позиции среди своих аналогов, присоединились два модуля с лучшими показателями нагрузочной способности по мощности в отрасли — 1800 А в модуле на 3,3 кВ и 1500 А в модуле на 4,5 кВ.

2) IGBT-транзистор седьмого поколения и RFC-диод способствуют уменьшению размеров инверторов.

• Благодаря применению CSTBT™*-чипов седьмого поколения и RFC-диодов, потери мощности в модулях уменьшились примерно на 20 % **.
• Габаритные размеры модулей с новыми кристаллами на 33 % меньше, чем у предшествующего поколения при таком же номинальном напряжении и токе, что гарантирует создание более компактных инверторов.
• Рабочая температура продукта составляет 150 °С, что позволяет использовать более простую систему охлаждения, уменьшив тем самым размеры инвертора и упростив его проектирование.

* Разработанная Mitsubishi Electric конструкция IGBT-кристалла с так называемым эффектом аккумуляции носителей (carrier-store effect)

** Для модуля X-серии CM1200HC-66X по сравнению с модулем H-серии CM1200HC-66H

3) Оптимизированная структура корпуса для высоконадежных инверторов.

• Новая внутренняя структура корпуса улучшает теплоотдачу, влагостойкость и огнестойкость модуля, что продлевает срок его службы.

Модельный ряд HVIGBT-модулей X-серии

Источник: ООО «Мицубиси Электрик» (РУС)