SKM100GB12V Силовой модуль IGBT, транзистор, 159 Ампер, 1200 Вольт, Semitrans, Semikron

Опубликовано: 18 июля 2016 г. в 19:53, 9 просмотров Комментировать

SKM100GB12V Силовой модуль IGBT, транзистор, 159 Ампер, 1200 Вольт, Semitrans, Semikron

Технические характеристики SKM100GB12V:

Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер, Vce(on): 1.75 Вольт

Напряжение Коллектор-Эмиттер : 1.2 кВольт

Ток коллектора, DC: 159 Ампер

Количество выводов: 7

Рабочая температура, максимум: 175 °C

Полярность транзистора: двойной N канал

Код для размещения:

Информация о компании

Промэлектрика, ООО
Promelectrica.ru – комплексные поставки электрики и автоматики.

Рекомендуем посмотреть

Комментировать

    Еще никто не оставил комментариев.

Для того чтобы оставлять комментарии Вам необходимо зарегистрироваться либо авторизоваться на сайте.