Компания Texas Instruments представляет свой новый продукт — новый высокоскоростной драйвер полевых транзисторов.

LM5113 — это высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора, позволяющий увеличить эффективность мощных высоковольтных приложений. LM5113 предназначен для управления полевыми транзисторами на основе нитрида галлия (GaN FET), работающих в режиме насыщения, верхнего и нижнего плеча в синхронной повышающей или полумостовой конфигурациях. Драйвер верхнего ключа способен управлять GaN FET транзисторами в режиме насыщения с рабочим напряжением до 100 В. Напряжение смещения верхнего ключа генерируется методом bootstrap и внутренне ограничено уровнем 5 В, не позволяя напряжению затвора превысить максимально допустимое напряжение затвор-исток GaN FET транзистора в режиме насыщения. Входы LM5113 совместимы с логическим TTL уровнем и способны выдерживать напряжение вплоть до 14 В независимо от напряжения питания.

Отличительные особенности:

• Независимые, TTL-совместимые входы управления драйверов верхнего и нижнего ключа
• Пиковый ток: сток — 1.2 А; исток — 5 А
• Шина напряжения смещения верхнего ключа до 100 В постоянного тока
• Независимые выходы для регулировки интенсивности включения/выключения
• Малое время задержки распространения сигнала: 28 нс (тип.)
• Схема защиты от недопустимого снижения напряжения (UVLO) шины питания
• Малый ток потребления
• Рабочая температура: -40…+125°C
• 10-выводной корпус LLP, размером 4 х 4 мм

Доступна отладочная плата Evalution Board for theLM5113.

Получить более подробную информацию по продукции Texas Instruments и заказать образцы Вы можете, обратившись:  E-mail: info@promelec.ru