Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширяет ассортимент высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOSIX-H и представляет устройство с каналом n-типа в SMD-корпусе DSOPAdvance с двусторонним охлаждением.
Устройство TPW1R306PL на 60В обладает сверхнизким типовым сопротивлением в открытом состоянии: всего 1,0мОм при V GS = 10В. Максимальный ток стока и рассеиваемая мощность составляют 260А и 170Вт соответственно. Улучшенное рассеяние тепла за счет двустороннего охлаждения поможет сократить количество устройств и сэкономить пространство в системах с высокой плотностью компонентов. Номинальное тепловое сопротивление Rth (ch-c) к верхней стороне корпуса, равное 0,88К/Вт, значительно ниже по сравнению с корпусами конкурентов.
Поскольку технологический процесс U-MOSIX-H компании Toshiba обеспечивает лучшее в классе сочетание R DS(ON) и выходной емкости / выходного заряда, типовое значение QOSS составляет всего 77,5нКл. Это позволяет проектировщикам дополнительно повысить эффективность работы систем за счет увеличения скорости переключения и снижения потерь при переключении.
Целевые области применения этих новейших МОП-транзисторов включают преобразователи постоянного тока, цепи вторичной стороны источников питания с преобразованием переменного тока в постоянный и приводы электродвигателей в аккумуляторных бытовых приборах и электроинструментах.