Выпускники НГТУ НЭТИ и ТГУ — ныне научные сотрудники Института физики полупроводником им. А. В. Ржанова СО РАН — создали новый мемристорный материал, подходящий для изготовления гибкой электроники.

Новосибирским физикам удалось добиться рекордных параметров для гибких элементов памяти: количество циклов перезаписи достигает нескольких миллионов, разница токов проводящего и непроводящего состояния мемристора — 6-9 порядков, а время переключения — наносекунды. Новый материал представляет собой композит, состоящий из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном.

«Перед нами стояла задача создать мемристорный материал для гибкой электроники. Для этих целей хорошо подходит фторированный графен: он сохраняет стабильность при многократных переключениях, устойчив к изменениям температуры, механическим воздействиям. Однако его недостатком является небольшая (1–2 порядка) разница токов для открытого (проводящего) и закрытого (непроводящего) состояния мемристора. Чтобы решить проблему, мы добавляли к фторированному графену материалы, позволяющие увеличить резистивный эффект. Лучший результат показали композитные пленки, состоящие из фторированного графена и наночастиц оксида ванадия — разница между токами в открытом и закрытом состояниях достигала девяти порядков. Если сравнивать с мировой практикой, аналогичные величины наблюдают при использовании полимеров или оксида графена, но первые нестабильны, легко деградируют, а второй позволяет переключать мемристор лишь сотни раз», — рассказал Артем Иванов, младший научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН, выпускник НГТУ НЭТИ 2015 года.