Созданы дешёвые мощные полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия.

Опубликовано: 26 мая 2015 г. в 13:01 8
Для возможности создавать свои темы и отвечать в темы на форуме, необходимо зарегистрироваться или авторизоваться на портале.
26 мая 2015 г. в 13:01
Созданы мощные полупроводниковые приборы на основе нитрида галлия, которые стоят меньше их кремниевых аналогов
Подложка с новыми транзисторам На прошлой неделе компания Efficient Power Conversion, находящаяся в Калифорнии, объявила о начале производства двух типов высокочастотных мощных полевых транзисторов, изготовленных из нитрида галлия, которые стоят меньше их кремниевых аналогов. Нитрид галлия и карбид кремния уже достаточно давно рассматриваются в качестве альтернативных материалов, способных заменить кремний в силовой электронике. Транзисторы на основе таких материалов имеют меньше время включения и выключения, они могут работать при более высоких напряжениях, нежели кремниевые приборы сопоставимых габаритных размеров. Но до последнего времени производство силовых приборов из кремния было менее дорогим, чем производство таких же приборов из других материалов.