Структуры эпитаксиальные и пленки диэлектрические. Метод измерения толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия на основе сферического шлифа
Предисловие
1. РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»).
2. ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование».
3. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 6 июня 2024 г. № 721-ст.
4. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ.
1. Область применения
Настоящий стандарт распространяется на эпитаксиальные структуры арсенида галлия и устанавливает метод измерения толщины активного, контактного п+ и буферного п+ эпитаксиальных слоев в структурах галлия п - п+ , п - п^ - п++, п^ - п - п^- п++, р+ - п, р+ - п - п - п^ - п+ , р+ - i, п^- п^- п- п^~ п++ по окрашенному сферическому шлифу в следующем диапазоне измеряемых толщин
👉 Подписывайтесь на Elec.ru. Мы есть в Телеграм, ВКонтакте и Одноклассниках