Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

  • 11 ноября 2021 г. в 13:03
  • 228
  • Поделиться
  • Пожаловаться
Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур
Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

Предисловие

В современной микроэлектронике широко применяются полупроводниковые материалы и эпитаксиальные структуры, на основе которых создаются многочисленные классы полупроводниковых приборов и микросхем. Необходимость совершенствования и дальнейшего развития технологии производства полупроводниковых материалов ставит первоочередной задачей повышение эффективности как лабораторного, так и промышленного контроля их качества. Уровень технологических потерь на различных этапах производства материалов и структур в определенной мере зависит от надежности и объективности информации об их качестве. Материальные затраты на производственный контроль качества в значительной степени определяется также выбором методов измерений, их воздействием на объект контроля. Таким образом, проблема повышения экономической эффективности производства материалов микроэлектроники в числе прочих задач требует оснащения промышленности высокоточными и производительными методами и средствами измерений, освоения прогрессивных, неразрушающих методов контроля, предъявляет особые требования к обеспечению измерений на всех участках производственного контроля.

Имеющиеся издания по контролю параметров полупроводниковых материалов в ряде случаев устарели, так как эта область техники развивается быстрыми темпами. В связи с этим одной из главных задач книги являлось обобщение и критический анализ работ, появившихся за последние 5...10 лет и посвященных метрике полупроводниковых эпитаксиальных, диффузионных, ионно-легированных слоев, а также структур диэлектрик-полупроводник.

В последнее время все большее применение находят физико-аналитические методы исследования и контроля. В книге эти методы рассматриваются только применительно к исследованию полупроводниковых материалов и структур.

Авторы видели свою задачу в том, чтобы дать широкий обзор методов контроля материалов и структур, используемых в производстве, и вооружить специалистов полезным методическим руководством по выбору и практической реализации различных методов измерений. С этой целью сделана попытка рассмотреть физические причины происхождения различных составляющих погрешности, осветить вопрос о взаимосвязи погрешности с объектом измерения. В книге использованы не только данные из литературных источников, но и результаты, непосредственно полученные авторами книги.