Николаевский И.Ф., Игумнов Д.В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов

Николаевский И.Ф., Игумнов Д.В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов

Предисловие

Настоящая книга посвящена свойствам и особенностям одного из самых распространенных и самых универсальных усилительных приборов — биполярного транзистора. По возможностям применения этот усилительный и переключающий полупроводниковый прибор значительно превосходит все известные в мировой практике приборы подобного назначения.

Естественно ожидать, и это подтверждается практикой, что свойства транзистора, его параметры и возможности использования будут резко различаться в зависимости от величин токов, напряжений, мощностей и частот.

Кроме того, в отличие, например, от не менее широко распространенной электронной лампы, которая используется только в прямом включении, в двух схемах — с общей сеткой и общим катодом — и только в трех режимах (областях) — усиления, насыщения и отсечки, транзистор работает в прямом и инверсном включениях, в трех схемах — с общими эмиттером, базой и коллектором и в четырех областях — усиления, отсечки, насыщения и умножения. В каждом из этих 24 состояний транзистор характеризуется своей специфической группой параметров и зависимостей, и если каждая из таких групп будет включать в себя лишь 4-5 параметров, часть из которых будет дана при двух напряжениях, токах, частотах и температурах, в двух включениях, трех схемах, в четырех областях работы, то число параметров и данных (естественно, характеризующих транзистор недостаточно полно) достигает тысячи.

В настоящее время для расчета схем используется свыше 300 параметров, выбранных случайно, в силу «стихийно» сложившихся обстоятельств, текущих задач и потребностей радиоэлектроники. Конечно, измерять такое количество параметров для каждого транзистора не только невозможно, но и нецелесообразно. Невозможно потому, что время и средства, необходимые для измерения и исследования одного типа транзистора, достигают непомерно больших величин (годы), и нецелесообразно потому, что каждый «лишний» параметр требует огромных затрат и времени на разработку различных машин и автоматов для разбраковки и сортировки транзисторов по этому параметру и, кроме того, снижает процент выхода годных приборов. В результате — необоснованное удорожание производства как транзисторов, так и радиоэлектронной аппаратуры.

Учитывая эти обстоятельства, в справочники и технические условия (ТУ) на транзисторы включается только необходимый минимум: 20-40 параметров и некоторое количество наиболее важных, необходимых для расчета схем, вольтамперных характеристик и зависимостей параметров от температуры и режима.