Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных интегральных схем СВЧ
ПРЕДИСЛОВИЕ
XXV съезд КПСС поставил серьезные задачи перед радио- и электронной промышленностью, связанные с существенным ростом выпуска продукции. Их решение возможно лишь на основе повышения эффективности производства и качества радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). При подготовке специалистов особенно актуальным стало рассмотрение конструкторско-технологических вопросов, в частности микроэлектронной аппаратуры.
В книге рассматриваются основные вопросы технологии изготовления пленочных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона (ГИС СВЧ), которые играют важную роль в решении проблем комплексной миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Изготовление ГИС СВЧ является сложным процессом по сравнению с пленочными низкочастотными и полупроводниковыми микросхемами. При изложении материала особое внимание уделено особенностям технологии ГИС СВЧ. Но так как конструкции ГИС СВЧ имеют и некоторые общие черты, характерные для всех ГИС, в книге кратко рассматриваются общие вопросы технологии ГИС и основные сведения, касающиеся тонко- и толстопленочной технологии, общей для ГИС, независимо от их функционального значения.
Показателем качества ГИС СВЧ являются их электрические параметры, которые определяются первичными конструкционными параметрами, зависящими от технологии изготовления. В книге показана взаимосвязь точности конструкционных параметров и технологического процесса производства ГИС СВЧ.
При разработке технологического процесса производства ГИС СВЧ его максимальную эффективность можно получить лишь при совместном решении технологических и конструкторских вопросов. Поэтому большое внимание в книге уделено вопросам технологической оптимизации конструкций ГИС СВЧ, что позволяет найти технологические допуски (отличные от конструкторских) на первичные конструкционные параметры ГИС СВЧ по критерию минимальной технологической себестоимости годного изделия; рассмотрены общие вопросы технологической оптимизации и методы ее выполнения для наиболее типичных элементов ГИС СВЧ.
При изложении материала авторы использовали отечественные и зарубежные публикации, а также результаты своих исследований.
Авторы считают своим приятным долгом выразить благодарность докт. техн. наук, проф. В. Б. Пестрякову за полезные замечания и советы, сотрудникам кафедры МАИ, возглавляемой докт. техн. наук, проф. Б. Ф. Высоцким, за внимательный просмотр рукописи, канд. техн. наук, научному редактору О. Е. Бондаренко за ценные замечания при редактировании.
Главы 1 и 3 написаны канд. техн. наук Г. В. Морозовым, главы 4, 5 и 6 — канд. техн. наук И. П. Бушминским, глава 2 — И. П. Бушминским и Г. В. Морозовым.
Авторы будут признательны читателям за полезные советы и замечания по содержанию книги, которые следует направлять по адресу: Москва, Неглинная ул., 29/14, издательство «Высшая школа».
👉 Подписывайтесь на Elec.ru. Мы есть в Телеграм, ВКонтакте и Одноклассниках