Ромаш Э.М. Драбович Ю.И. Юрченко Н.Н. Шевченко П.Н. Высокочастотные транзисторные преобразователи

Ромаш Э.М. Драбович Ю.И. Юрченко Н.Н. Шевченко П.Н. Высокочастотные транзисторные преобразователи

Предисловие

Основная область практического применения высокочастотных транзисторных преобразователей – это средства вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), которые представляют собой совокупность транзисторных преобразователей и предназначены для преобразования электрической энергии, потребляемой данной аппаратурой, в вид, необходимый для ее нормального функционирования, и для улучшения параметров потребляемой энергии. Преобразовательные устройства этого типа обеспечивают необходимые шкалы вторичных питающих напряжений постоянного и переменного токов, стабилизацию или регулирование их значений в соответствии с маломощным управляющим сигналом, требуемую форму и частоту напряжений на нагрузках переменного тока, эффективное сглаживание пульсаций и подавление электромагнитных помех во вторичных питающих цепях постоянного тока, электрическую изоляцию питающих цепей друг от друга и от первичного источника электрической энергии.

Являясь неотъемлемой частью любой РЭА, средства ее вторичного электропитания и, в частности, высокочастотные преобразователи в значительной степени характеризуют ее массогабаритные показатели и энергопотребление, надежность и время готовности к работе. Поэтому на всех этапах развития радиоэлектроники обязательным условием поддержания высоких темпов технического прогресса было непрерывное совершенствование транзисторных преобразовательных устройств, высокие темпы улучшения их эксплуатационных показателей в части массы и габаритов, надежности. и долговечности, потерь электрической энергии и экономичности, быстродействия, электромагнитной совместимости с питаемой аппаратурой и первичным источником электрической энергии.

Тем не менее в последнее время стало очевидным заметное отставание источников вторичного электропитания РЭА от тех требований, которые предъявляет современный уровень развития радиоэлектроники и автоматики. Так, относительная доля средств вторичного электропитания увеличилась до 20-50 % и более, а потери мощности электрической энергии в полупроводниковых преобразователях составляют до 30-50 % от суммарного количества энергии, потребляемой аппаратурой.

Создавшееся положение обусловлено широкой микроминиатюризацией РЭА на базе перехода от дискретных электрорадиоэлементов к интегральным микросхемам (ИС) непрерывно увеличивающейся степени интеграции. Такая микроминиатюризация сопровождалась значительным ужесточением требований, предъявляемых РЭА и приборами автоматики к качеству потребляемой ими электрической энергии. Резко возросли требования к стабильности вторичных питающих напряжений, уменьшились их номинальные значения прн одновременном возрастании во много раз токов нагрузки, значительно уменьшились допустимые уровни пульсаций (в первую очередь это относится к высокочастотным составляющим питающих напряжений), резко возросло число электрически изолированных друг от друга каналов вторичного электропитания для каждого отдельно взятого радиоэлектронного устройства. Значительно более жесткие требования в настоящее время предъявляются к качеству переходных процессов в высокочастотных транзисторных преобразователях, их быстродействию, устойчивому запуску, надежности, электромагнитной совместимости с питаемой аппаратурой.

...