Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) расширяет свой модельный ряд диодов с барьером Шоттки для поверхностного монтажа новым полупроводниковым прибором CxS15S30. Он производится с использованием новейшей полупроводниковой технологии Toshiba, которая позволяет улучшить характеристики прямого напряжения и обратного тока.
Диод Шоттки CxS15S30 имеет максимальные параметры среднего выпрямленного тока и пикового обратного напряжения, равные 1,5 А и 30 В соответственно. Варианты исполнения включают сверхкомпактный LGA-корпус CST2C (CCS15S30) с размерами всего 1,6 x 0,8 x 0,48 мм и стандартный корпус SOD-323 (CUS15S30).
Новый диод Toshiba подходит, в частности, для условий ограниченного пространства, когда основными требованиями являются высокая сила тока и низкое прямое напряжение (Uп). CxS15S30 обеспечивает высокую эффективность, которая необходима для устройств, работающих от батареи, и других систем с низким электропотреблением. Низкое типовое прямое напряжение Uп = 0,39 В при 1,5 А и низкий типовой обратный ток всего 200 мкА гарантируют минимальные потери при работе в таких распространенных схемах, как цепи светодиодной подсветки или защита от обратного тока при зарядке батареи.
Полная типовая емкость диода всего 200 пФ означает, что CxS15S30 можно также использовать в распространенных схемах быстродействующих переключателей.
