Компания GM International S.r.l. представляет источник электропитания PSD1250A, выполненный в корпусе из анодированного алюминия.
Новинка от GMI обеспечивает на выходе 24 В/50 A, а при параллельном включении нескольких модулей равномерное распределение тока между ними снижает рассеиваемую мощность внутри корпуса, что повышает надежность системы.
Устройство предназначено для работы от сети переменного тока в диапазоне напряжения 100…264 В (изменение частоты сети от 48 до 62 Гц). Также предусмотрено две независимых схемы защиты от перенапряжения: один из контуров ограничивает напряжение на уровне 27 В, другой — на 29 В.
В случае короткого замыкания нагрузки система электропитания обеспечивает чрезвычайно высокий пиковый ток (около 800 A) в течение 0,5 мс. В результате гарантируется немедленный выход из строя защитного предохранителя или срабатывание автоматического выключателя. Благодаря очень небольшой длительности пикового тока дополнительное оборудование, подключенное к нагрузке, не пострадает и продолжит работу не прерываясь.
Для снижения рассеиваемой мощности, при параллельном соединении, вместо блокирующих диодов, включаемых по схеме «ИЛИ», применяются MOSFETтранзисторы с каналом n-типа (схема управления идеальным OR-диодом или активный идеальный диод). В данной схеме напряжение, приложенное между стоком и истоком, контролируется на выводах модуля питания, а специальный вывод модуля используется для управления транзисторами MOSFET.
Фактически исток и сток транзистора MOSFET служат в качестве анода и катода идеального диода. В случае отказа источника питания, например, если выход полностью нагруженного источника внезапно будет закорочен на землю, обратный ток временно потечет через MOSFET, находящийся во включенном состоянии. Этот ток поступает из какой-либо нагрузочной емкости и от других источников питания. Активный идеальный диод быстро реагирует на данное обстоятельство, выключая MOSFET в течение около 0,5 мкс, таким образом, минимизируются помехи и генерирование на выходной шине.
Сопротивление MOSFET активного идеального диода около 1,2 мОм, что дает в результате 3,6 Вт рассеиваемой мощности на каждом из включенных параллельно модулей. В том случае, если параллельно работают 6 модулей с выходным током 50 A для обеспечения резервирования 150 + 150 A, полная рассеиваемая мощность будет около 22 Вт, что почти в 10 раз меньше по сравнению с решением на диодах Шоттки.
Основные свойства источника питанияPSD1250A:
- Коэффициент мощности 0,99 при входном напряжении 230 В, полная нагрузка
- КПД > 90%
- Максимальная мощность рассеивания 60 Вт
- Пусковой ток: 30 A (пик.)
- Гальваническая развязка вход-выход: 2500 В (среднеквадратическое значение)
- Выходное напряжение 24 В (регулировка в диапазоне от 22,8 до 25,2 В)
- Пульсации ≤ 250 мВ (от пика до пика)
- Время нарастания выходного напряжения 500 мс (макс)
- Ток нагрузки 50 A
- Параллельное соединение для обеспечения резервирования с распределением тока между модулями ±5%
- Сигнализация о состоянии выходного напряжения, индикация через ЖК-экран и шину Modbus на PSO1250, выход сухой контакт (SPST) срабатывает в случае перенапряжения/перегрузки по току
- Диапазон рабочих температур от –40 до +70˚C
- Диапазон температур хранения от –45 до +80˚C
- Маркировка взрывозащиты II 3 G EEx nA IIC T4 –40˚C ≤ Ta ≤ 60˚C;
IECExEx nA IIC T4, –40˚C ≤ Ta ≤ 60˚C
- Установка во взрывоопасных зонах класса II, категория взрывоопасной смеси IIC T3
- Масса около 2,5 кг
- Монтаж в 19" каркас, высота 2U
