Компания International Rectifier представила рынку MOSFET IRFH7185TRPBF — первый 100 В транзистор семейства FastIRFET™, обеспечивающий эталонную эффективность DC-DC источников питания, широко применяемых для питания модулей электронного оборудования, в том числе, телекоммуникационных систем.
Транзистор IRFH7185TRPBF изготовлен по новейшей 100 В технологии FastIRFET™, реализующей лучшее в отрасли значения параметра FOM (figure of merit), вычисляемого как Rds(on)*Qg — транзистор обладает ультранизким сопротивлением открытого канала в сочетании с более низким, чем в альтернативных транзисторах, зарядом затвора. Кроме того, максимально-допустимый лавинный ток структуры FastIRFET™ на 20% выше, чем у транзисторов, выполненных по другим технологиям. Все это позволяет обеспечить высокую эффективность преобразования, увеличить плотность мощность и повысить надежность системы.
Транзисторы семейства FastIRFET™ работают со множеством контроллеров и драйверов, что обеспечивает гибкость их применения при сохранении высокого рабочего тока, эффективности и частотных характеристик в небольшом планарном корпусе. Транзистор IRFH7185TRPBF отвечает стандартам промышленного применения, уровню MSL1 и изготавливается в промышленном корпусе PQFN размерами 5х6 мм по технологии, соответствующей стандартам действующей директивы RoHS.
Основные параметры:
- Ток стока номинальный при 25°C: 123 A;
- Rds(on) тип./макс. при 10 В Ugs: 4.2/5.2 мОм;
- Заряд затвора при 10 В Ugs: 36 нКл;
- R*Qg (FOM) при 10 В Ugs: 115.2;
- Корпус PQFN 5×6.
