Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о выпуске нового семейства сверхэффективных МОП-транзисторов низкого напряжения Trench-MOSFET, созданных на основе разработанной компанией полупроводниковой технологии следующего поколения U-MOS IX-H.
Новые МОП-транзисторы обеспечивают лидирующие в отрасли показатели RDS(ON)*QOSS (произведение сопротивления открытого канала на выходной заряд) для устройств этого класса. Семейство, изначально состоящее из версий 40 В, в ближайшие месяцы будет расширено за счет устройств с номинальным напряжением от 30 В до 60 В. Первое устройство в серии имеет типовое значение RDS(ON) всего 0,7 мОм (макс. 0,85 мОм) и типовую выходную емкость (Coss) 1930 пФ. Устройство TPHR8504PL с номинальным напряжением 40 В поставляется в сверхмалом корпусе SOP-Advance размером всего 5 x 6 мм.
Семейство U-MOS девятого поколения рассчитано на использование в преобразователях постоянного тока, системах синхронного выпрямления и других системах управления питанием, для которых требуется работа при низкой мощности, высокоскоростное переключение и экономия места на печатной плате.
МОП-транзисторы U-MOS IX-H идеально подходят для использования в переключателях на стороне высокого и низкого напряжения преобразователей постоянного тока, а также в дополнительных переключателях систем синхронного выпрямления преобразователей переменного тока в постоянный. Благодаря улучшенному значению RDS(ON)*A технология U-MOS IX-H обеспечивает снижение площади кристалла на 65 % с сохранением RDS(ON) или снижение RDS(ON) на 65 % при той же площади кристалла по сравнению с поколением 40 В UMOS VI-H. Кроме того, улучшенное соотношение между выходным зарядом (Qoss) и RDS(ON) приводит к повышению эффективности. В результате МОП-транзисторы U-MOS IX-H позволяют конструкторам снизить энергопотребление и уменьшить размер оборудования.
Устройства предлагаются в различных корпусах поверхностного монтажа. Кроме того, в будущем будет предложен вариант с двусторонним охлаждением.
