Компания Microsemi Corporation представляет новую линейку силовых модулей и дискретных транзисторов типа MOSFET на основе карбида кремния.
Новые SiC MOSFET созданы по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.
Особенности SiC MOSFET Microsemi:
- широкая номенклатура на напряжения от 600 В до 1700 В,
- рабочая температура до 175,
- снижение потерь до 70%,
- повышенная максимальная частота переключения до 800 кГц,
- компактные и низкопрофильные корпуса.
Подробнее о MOSFET модулях Microsemi
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.