BCR112, BCR141-E6327 — цифровые транзисторы Infineon с двумя резисторами
BCR112 и BCR141-E6327 — кремниевые биполярные n-p-n транзисторы от Infineon, оснащенные встроенными резисторами: последовательным входным резистором и резистором, включенным между базой и эмиттером. Такое решение позволяет управлять полупроводниковыми приборами напрямую от цифровых источников без дополнительных внешних схемотехнических элементов. Цифровые транзисторы используются в схемах коммутации, инверторах, схемах интерфейсов, схемах возбуждения и т.д.
Технические характеристики:
BCR112
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В.
- Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А.
- Прямое входное напряжение: 30 В.
- Обратное входное напряжение: 10 В.
- Минимальный статический коэффициент усиления: 20.
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц.
- Встроенный резистор смещения (R1=4,7 кОм, R2=4,7 кОм).
- Максимальная рассеиваемая мощность: 0,2 Вт.
- Максимальная рабочая температура: +150 °C.
- Корпус: SOT-23.
- Габариты: 2,9×2,4×1,0 мм.
- Масса: 0,05 г.
BCR141-E6327
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В.
- Максимально допустимый ток: 0,1 А.
- Прямое входное напряжение: 60 В.
- Обратное входное напряжение: 10 В.
- Минимальный статический коэффициент усиления: 50.
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц.
- Встроенный резистор смещения (R1=22 кОм, R2=22 кОм).
- Максимальная рассеиваемая мощность: 0,25 Вт.
- Максимальная рабочая температура: +150 °C.
- Корпус: SOT-23.
- Габариты: 2,9×2,4×1,0 мм.
- Масса: 0,05 г.
Немецкая компания Infineon Technologies AG — крупный производитель микросхем для телекоммуникаций и криптографии, выделившаяся из подразделения Siemens AG Semiconductor Group в 1999 году.