Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 40 мОм, 66 А в корпусе TO-247-4 поколения Gen 3 C3M0040120K.
Технические характеристики:
- напряжение пробоя: 1200 В
- ток (при 25 °C): 66 A
- Rds(On): 40 мОм
- тип корпуса: TO-247-4
- суммарный заряд затвора: 99 нКл
- максимальная температура перехода: 175 °C
- заряд обратного восстановления: 850 нКл
- выходная емкость: 103 пФ
- время обратного восстановления: 17 нс
Применение транзистора:
- возобновляемые источники энергии
- зарядные устройства электромобилей
- источники бесперебойного питания (ИБП)
- управление двигателем
- импульсные источники питания
- хранение энергии
Для более детального знакомства с характеристиками скачайте техническое описание C3M0040120K. Также доступен SiC MOSFET 1200 В 40 мОм Gen 3 в корпусе TO247-3 C3M0040120D.
Скачать каталог дискретных SiC приборов и модулей Wolfspeed
Компания «МАКРО-Групп» является официальным дистрибьютором Wolfspeed в России.