Компания AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET модулем A2G300N1700ME3. Данный модуль, выполненный в компактном корпусе стандарта 62 мм, позволяет повысить плотность мощности без ущерба для надёжности устройства. Максимальный продолжительный ток 300 А и повышенное до 1700 В напряжение сток-исток позволяют использовать модули в компактных высоконадёжных системах преобразования энергии, в том числе железнодорожного и подземного транспорта. Благодаря использованию технологии SiC уменьшаются потери на переключении и проводимости тока, что в свою очередь позволяет отказаться от мощных охлаждающих систем и обойтись только естественным охлаждением при сохранении габаритов устройства.
Основные особенности модуля A2G300N1700ME3:
- стандартный корпус стандарта 62 мм
- сверхнизкие потери, работа на повышенных частотах
- нулевые потери на обратное восстановление
- нулевой ток выключения MOSFET
- нормально выключенное состояние, отказоустойчивая работа устройства
- медное основание и изолятор из нитрида алюминия
Применение модуля A2G300N1700ME3:
- высокочастотные преобразователи
- преобразователи DC-DC
- солнечные инверторы и ветрогенераторы
- ИБП и ИИП
- тяговые преобразователи
Подробная характеристика модуля A2G300N1700ME3 доступна в документации.