AMG Power анонсировал выпуск нового высоковольтного SiC MOSFET в корпусе TO-247-4i с внутренней изоляцией – A2G60N1200MT4i. Этот транзистор предназначен для применения в широком спектре высокотехнологичных устройств, включая солнечные инверторы, преобразователи для железнодорожного и подземного транспорта, промышленные источники питания и быстрые зарядные станции.
Основные характеристики транзистора:
- максимальный продолжительный ток стока: 60 А
- напряжение сток-исток: до 1200 В
- снижение температуры корпуса (Tc) на 10 °С в сравнении со стандартным корпусом TO-247-4 с внешней изоляцией
- повышенная устойчивость к тепловым циклам.
Новый корпус TO-247-4i использует специальную технологию упаковки, которая изолирует рамку, поддерживающую чип, от радиатора на задней стороне MOSFET. Это обеспечивает электрическую изоляцию между стоком MOSFET и радиатором и значительно снижает общее тепловое сопротивление устройства.
Преимущества внутренней изоляции:
- снижение теплового сопротивления: внутренняя изоляция позволяет монтировать корпус транзистора напрямую на радиатор, что уменьшает тепловое сопротивление и улучшает теплоотвод
- компенсация теплового расширения: внутренний изолирующий слой компенсирует разницу в коэффициентах теплового расширения между кристаллом и медным каркасом, что уменьшает рассогласование и повышает устойчивость к тепловым циклам
- упрощенный монтаж и экономия материалов: усовершенствованный корпус со встроенной изоляцией значительно облегчает монтаж, снижает производственные затраты и экономит материалы.
Технические характеристики:
- высокая подвижность электронов в карбиде кремния обеспечивает высокие динамические характеристики системы
- компактная внутренняя компоновка снижает паразитную индуктивность в силовой цепи, что улучшает общую производительность системы
- высокое запирающее напряжение при низком сопротивлении в открытом состоянии (RDS(on)) обеспечивает эффективную работу транзистора
- стабильная работа в диапазоне температур от -55 °C до 175 °C позволяет использовать транзистор в различных климатических условиях
- оптимизированный корпус с изолирующей поверхностью обеспечивает надёжную и долговечную работу устройства
- изолирующее напряжение 2500 В при частоте 50/60 Гц и времени испытания 60 секунд гарантирует безопасность и надёжность работы транзистора.
Высоковольтный SiC MOSFET A2G60N1200MT4i в корпусе TO-247-4i с внутренней изоляцией от AMG Power представляет собой революционное решение для компактных и надёжных систем преобразования энергии. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам и преимуществам этот транзистор открывает новые возможности для разработчиков и производителей высокотехнологичных устройств.
Документация с полными характеристиками транзистора A2G60N1200MT4i доступна по ссылке.
