«Центр перспективной микроэлектроники» МФТИ займётся развитием инновационных технологий на основе новых функциональных материалов разной размерности для создания электронных и фотонных устройств нового поколения. Центр создан в рамках господдержки исследований и разработок по приоритетам научно-технологического развития РФ.
Комиссия по научно-технологическому развитию России под руководством зампреда Правительства РФ Дмитрия Чернышенко вынесла решение о предоставлении гранта в форме субсидий для создания научного центра мирового уровня по перспективной микроэлектронике на базе МФТИ. Университет вошёл в число победителей конкурсного отбора.
«По итогам конкурса отобраны 10 НЦМУ. Их деятельность будет направлена на разработку и внедрение в экономику важнейших наукоёмких технологий, определённых указом Президента Владимира Путина. Размер субсидии для каждого из отобранных научных центров мирового уровня составит до 320 млн рублей ежегодно», – подчеркнул Дмитрий Чернышенко.
Основным заказчиком результатов работы Центра выступают предприятия отечественной микроэлектронной отрасли. Цель создания НЦМУ – развитие инновационных технологий на основе новых функциональных материалов различной размерности. Технологии требуются для создания энергоэффективных электронных и фотонных устройств следующего поколения – процессоров, электронной памяти, сенсоров и других элементов.
«Победа в конкурсе и доверие государства подтверждают лидерство Физтеха в области прорывных технологий. Центр станет ключевым звеном в решении стратегической задачи достижения технологического суверенитета России в микроэлектронике. Мы сосредоточимся на создании нового поколения устройств на основе уникальных материалов, подготовке элитных кадров и теснейшем взаимодействии с ведущими научными институтами и индустриальными партнерами для скорейшего внедрения разработок в реальное производство», – отметил ректор МФТИ Дмитрий Ливанов.
Созданное подразделение сфокусируется на разработке инновационных решений в микро- и наноэлектронике с использованием передовых функциональных материалов. Это поможет созданию уникальной научно-технической базы для преодоления современных вызовов в сфере отечественной микроэлектроники. Деятельность Центра будет формировать новые компетенции на стыке фундаментальной и прикладной науки и активно готовить высококвалифицированных специалистов и молодых учёных.
Приоритетами работы Центра на ближайшие периоды станут два глобальных направления: безопасность получения, хранения, передачи и обработки информации и технологии микроэлектроники и фотоники.
МФТИ является координатором созданного Центра. Участниками НЦМУ перспективной микроэлектроники совместно с МФТИ стали ВНИИА им. Н.Л. Духова, ИНМЭ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН. Со стороны индустрии основными партнерами подразделения выступили такие техногиганты и ключевые промышленные компании как ГК «Элемент», АО «НПО “Орион» Госкорпорации «Ростех», ПАО «Газпром нефть».
Инфраструктуру Центра обеспечивают исследовательское и технологическое оборудование лабораторий и Центра коллективного пользования МФТИ. В частности, разработанные на Физтехе уникальные аддитивные устройства для создания элементов микроэлектроники. Также будет задействовано оборудование партнеров ВНИИА, ИНМЭ РАН, ИРЭ РАН – установки синтеза новых функциональных материалов, сверхвысоковакуумные приборы для нанесения тонких плёнок, электронно-лучевая и оптическая литографии и др.