AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET транзистором на 2000 В напряжения пробоя сток-исток и током 30 А для высоковольтных силовых устройств в фотогальванике, хранении энергии и электросетях – серия A3G30N2000MT4. Недавно продукты прошли сертификацию и были представлены на рынке.
Основные технические характеристики транзисторов A3G30N2000MT4:
- напряжение сток-исток (VDS): 2000 В
- непрерывный ток стока (ID) при TC=25°C: 30 А
- сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при VGS=15 В и ID=20 А: максимум 98 мОм (при температуре 175°C – 172 мОм)
- максимальная рассеиваемая мощность (PD): 258 Вт
- диапазон температуры перехода и хранения: от -55 до +175°C
- входная ёмкость (Ciss): типовое значение 2865 пФ
- пороговое напряжение затвора (VGS(th)): от 1,8 до 3,5 В
- рекомендуемое напряжение включения/выключения затвора: +15 / -5 В
Благодаря использованию технологии SiC уменьшаются потери на переключении и проводимости тока, что позволяет отказаться от мощных охлаждающих систем и обойтись только естественным охлаждением при сохранении габаритов устройства.
С развитием технологий силовой электроники в сферах фотоэлектрических систем, накопления энергии и электросетей наблюдается две тенденции:
- повышение рабочей частоты для уменьшения размеров катушек и конденсаторов, повышения эффективности и плотности мощности;
- повышение напряжения шины для снижения потерь на проводимость тока и повышения эффективности системы.
За счёт применения 2000 В архитектуры транзисторы SiC упрощают схемотехнику, снижая затраты на разработку и компоненты.
Примеры замены элементной базы и изменения схемотехники представлены на рисунке ниже.
