Инжиниринговый химико-технологический центр совместно с Национальным исследовательским Томским государственным университетом завершил проект по разработке технологии и организации полного цикла производства трибромида бора высокой чистоты (6N5). Проект выполнен по заказу Минпромторга России в целях обеспечения технологического суверенитета страны.
Трибромид бора высокой чистоты в основном применяется для легирования полупроводников в микроэлектронике. В реализации проекта также участвовали Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (Новосибирск) и ООО «НПИ» (Нижний Новгород). Инженеры Нижнего Новгорода разработали технологические решения, а ученые из Томска и Новосибирска создали методики аналитического контроля и стандарты качества.
«Нашей задачей было не просто наладить синтез вещества, а построить завершённый технологический цикл, включая систему контроля качества на каждом этапе. Это необходимо для обеспечения стабильных характеристик материала, что критически важно для микроэлектроники», – пояснила руководитель проекта в ИХТЦ Ася Водянкина.
Производственная мощность установки составляет 24 килограмма вещества в год. Продукт будет поставляться в таре, соответствующей технологической линии потребителя: в кварцевых ампулах различного объема и специальных ёмкостях-барботерах. Создание полного цикла производства на отечественном сырье позволяет выпускать продукт, сопоставимый по цене и качеству с зарубежными аналогами, основные поставки которых ранее осуществлялись из Китая, Германии и США.
«Мы ориентировались на потребности отечественных предприятий микроэлектроники. Их ключевым требованием было не просто импортозамещение, а получение материала гарантированного качества по конкурентной цене. Этот критерий стал для нас основным, и в ходе реализации проекта он был достигнут», – отметил директор ИХТЦ Алексей Князев.
В настоящее время ИХТЦ формирует портфель заказов от промышленных потребителей. Первые поставки высокочистого трибромида бора запланированы на 2026 год.