Компания Microsemi Corporation представила новое семейство карбидкремниевых полевых транзисторов с изолированным затвором (SiC MOSFET). Новые SiC MOSFET созданы по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.
Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:
- Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры;
- Ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения;
- Повышенная максимальная частота переключения;
- Высочайшая надежность и превосходная устойчивость к коротким замыканиям;
Новые SiC MOSFET компании рассчитаны на рабочее напряжение 1200В, имеют номинальные сопротивления открытого канала 80 и 50 миллиом.
Краткие характеристики семейства:
| Part Number | Тип корпуса | Напряжение (Vdss), В | Сопротивление Rds(on), мОм | Ток (Id), А |
| APT40SM120B | TO-247 | 1200 | 80 | 40 |
| APT40SM120J | SOT-227 | 1200 | 80 | 40 |
| APT50SM120B | TO-247 | 1200 | 50 | 50 |
| APT50SM120J | SOT-227 | 1200 | 50 | 50 |
Область применениня:
Новое поколение SiC MOSFET идеально подойдет для применения в силовых промышленных устройствах, требовательных к высокому уровню КПД:
- Инверторы солнечных батарей
- Авиационное оборудование
- Сварочные инверторы
- Медицинское оборудование
- Электромобили
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам PT Electronics.
