Компания Microsemi Corporation представила новый силовой модуль MOSFET APTSM120AM14CD3AG на основе карбидкремния. Новый SiC MOSFET создан по запатентованной технологии Microsemi, и позволяют разработчикам проектировать решения с еще большей частотой преобразования и более высоким КПД.
Особенности SiC MOSFET, изготавливаемых по технологии Microsemi:
- Лучшая в своем классе зависимость сопротивления канала RDS(ON) от температуры;
- Ультранизкое сопротивление канала для минимизации энергии переключения;
- Повышенная максимальная частота переключения;
Новый модуль APTSM120AM14CD3AG представляет собой транзисторную сборку в конфигурации полумост рассчитанный на рабочее напряжение 1200 В и ток 180 А, обладает великолепными частотными характеристиками и минимальными потерями, что позволяет обеспечить ток 40 А при частоте 400 кГц в режиме жесткого переключения.
| Тип корпуса | Напряжение (Vdss), В | Rds(on), мОм | Ток (Id), А |
| D3 | 1200 | 14 | 180 |
Область применения:
- Сварочные аппараты;
- индукционный нагрев;
- источники бесперебойного питания;
- импульсные источники питания.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.
