BCR112, BCR141-E6327 — цифровые транзисторы Infineon с двумя резисторами

BCR112 и BCR141-E6327 — кремниевые биполярные n-p-n транзисторы от Infineon, оснащенные встроенными резисторами: последовательным входным резистором и резистором, включенным между базой и эмиттером. Такое решение позволяет управлять полупроводниковыми приборами напрямую от цифровых источников без дополнительных внешних схемотехнических элементов. Цифровые транзисторы используются в схемах коммутации, инверторах, схемах интерфейсов, схемах возбуждения и т.д.

Технические характеристики:

BCR112

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В.
• Максимально допустимый ток коллектора: 0,1 А.
• Прямое входное напряжение: 30 В.
• Обратное входное напряжение: 10 В.
• Минимальный статический коэффициент усиления: 20.
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц.
• Встроенный резистор смещения (R1=4,7 кОм, R2=4,7 кОм).
• Максимальная рассеиваемая мощность: 0,2 Вт.
• Максимальная рабочая температура: +150 °C.
• Корпус: SOT-23.
• Габариты: 2,9×2,4×1,0 мм.
• Масса: 0,05 г.

BCR141-E6327

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В.
• Максимально допустимый ток: 0,1 А.
• Прямое входное напряжение: 60 В.
• Обратное входное напряжение: 10 В.
• Минимальный статический коэффициент усиления: 50.
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц.
• Встроенный резистор смещения (R1=22 кОм, R2=22 кОм).
• Максимальная рассеиваемая мощность: 0,25 Вт.
• Максимальная рабочая температура: +150 °C.
• Корпус: SOT-23.
• Габариты: 2,9×2,4×1,0 мм.
• Масса: 0,05 г.

Немецкая компания Infineon Technologies AG — крупный производитель микросхем для телекоммуникаций и криптографии, выделившаяся из подразделения Siemens AG Semiconductor Group в 1999 году.