Диоды полупроводниковые туннельные. Система параметров
Предисловие
1. РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»).
2. ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование».
3. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 11 мая 2023 г. № 301-ст.
4. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
1. Область применения
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые туннельные полупроводниковые диоды (далее — диоды) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия или стандарты на диоды конкретных типов при их разработке или пересмотре.
Стандарт не распространяется на обращенные туннельные сверхвысокочастотные диоды, применяемые в качестве смесительных и детекторных диодов.
Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научно-хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации диодов в соответствии с действующим законодательством.
2. Нормативные ссылки
В настоящем стандарте использованы ссылки на следующие стандарты:
- ГОСТ 25529 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
- ГОСТ Р 57436 Приборы полупроводниковые. Термины и определения