Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) представила мощный 800-вольтный МОП-транзистор, созданный на основе технологии высоковольтных транзисторов DTMOS IV Super Junction. При производстве TK17A80W используется новейший техпроцесс компании Toshiba на основе одиночного эпитаксиального слоя, что идеально подходит для высоконадежного, энергоэффективного и компактного оборудования. Возможные сферы применения: адаптеры и источники питания, обратноходовые преобразователи и светодиодные системы освещения.
По сравнению с процессами с несколькими эпитаксиальными слоями технология Deep Trench компании Toshiba обеспечивает более низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON)) при более высоких температурах. Кроме того, при использовании этой технологии уменьшаются потери при выключении (EOSS) по сравнению с технологиями предыдущих поколений. Одновременное снижение роста RDS(ON) при высоких температурах и уменьшение EOSS позволяет повысить эффективность источников питания и уменьшить габариты систем.
Технология DTMOS IV увеличивает скорость переключения транзисторов путем уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком. Типовая емкость CISS для TK17A80W составляет всего 1450 пФ (при UDS = 300 В и f = 100 кГц). Транзистор имеет следующие максимальные значения: UDSS — 800 В, UGSS — ±30 В и ток стока — 17 А. Максимальное значение RDS(ON) равно 0,3 Ом.
Массовое производство TK17A80W в полностью изолированном корпусе TO-220SIS начнется в IV квартале 2014 г. Образцы доступны уже сейчас. Позже будут представлены приборы с другими характеристиками, а также приборы в корпусах TO-220, DPAK и IPAK.
