Компания Toshiba Electronics Europe представляет новую серию сверхэффективных быстродействующих высоковольтных МОП-транзисторов для создания импульсных регуляторов напряжения. Четыре устройства с номинальным напряжением 800 и 900 В с каналом n-типа обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON) вплоть до 1,9 Ом.
Целевые области применения новых устройств — обратноходовые преобразователи для светодиодных осветительных приборов, дополнительные источники питания и другие схемы, в которых требуется коммутация токов ниже 5 А.
Новые МОП-транзисторы, работающие в режиме обогащения, выпускаются с применением планарного технологического процесса производства полупроводников компании Toshiba восьмого поколения ?-MOS VIII (Pi-MOS-8), который сочетает высокий уровень интеграции и оптимизированную структуру ячеек. Эта технология обеспечивает снижение заряда и емкости затвора без потери преимуществ низкого значения RDS(ON).
Эти МОП-транзисторы дополнят слаботочными устройствами существующую серию приборов DTMOS IV компании Toshiba с номинальным напряжением 800 В и технологией DTMOS4 Super Junction. Транзисторы TK3A90E на 2,5 А и TK5A90E на 4,5 А имеют номинальное значение VDSS 900 В и типовые номинальные значения RDS(ON) 3,7 и 2,5 Ом соответственно. Транзисторы TK4A80E на 4,0 А и TK5A80E на 5,0 А имеют номинальное значение VDSS 800 В и типовые номинальные значения RDS(ON) 2,8 и 1,9 Ом соответственно.
Новые МОП-транзисторы Toshiba обладают сверхнизким максимальным током утечки, составляющим всего 10 мкА (VDS = 60 В) и диапазоном порогового напряжения затвора от 2,5 до 4,0 В (при VDS = 10 В и токе стока 0,4 мА). Все устройства поставляются в корпусах TO-220SIS стандартного форм-фактора.
