Microsemi Corporation — ведущий поставщик полупроводниковых устройств различных по мощности, защищённости, надёжности и производительности, объявила о начале поставок нового семейства силовых 650-В биполярных транзисторов с изолированным планарным затвором (NPT IGBT).
Новые модели обеспечивают частоту коммутации до 150 кГц, и этот уровень может быть увеличен при использовании транзисторов совместно с антипараллельными диодами Microsemi, выполненных по карбидокремниевой технологии.
Все представители нового поколения 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi производятся по усовершенствованной технологии Power MOS 8. Технологический процесс позволяет снизить полное значение коммутационных потерь и обеспечивает возможность работы элементов при значительно более высокой частоте коммутации по сравнению с конкурирующими решениями. Так же благодаря меньшему значению потерь (приблизительно на 8%) NPN IGBT транзисторы Microsemi способны повысить КПД конечных решений.
Благодаря положительному температурному коэффициенту Vcesat NPN IGBT можно включить параллельно для повышения надежности силовых устройств.
Краткие технические характеристики силовых 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi:
| Part Number | Тип корпуса | Ток, A | Напряжение, В |
| APT45GR65BSCD10 | TO-247 | 45 | 650 |
| APT45GR65SSCD10 | D3PAK | 45 | 650 |
| APT70GR65B2SCD30 | T-MAX | 70 | 650 |
Области применения силовых 650-В NPT IGBT транзисторов Microsemi:
- солнечные инверторы;
- сварочные аппараты;
- импульсные источники питания.
По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам PT Electronics.
