Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) более всего известна своими полупроводниковыми устройствами на основе карбида кремния (SiC). Эта компания из КНР с 2011 года занимается разработкой и производством SiC-диодов Шоттки с обратным напряжением от 600 до 3300 В и прямым током от 0,6 до 100 А. Карбид кремния имеет значительные преимущества перед другими полупроводниками в силовой электронике благодаря своей широкой запрещенной зоне. Это позволяет SiC-диодам Шоттки иметь низкий ток утечки, высокое напряжение пробоя, отличную теплопроводность и низкий динамический ток восстановления. В совокупности это приводит к значительному повышению характеристик силовых полупроводниковых приборов из SiC в сравнении с другими полупроводниками.
На склад ООО ТД «Промэлектроника» поступила очередная партия диодов Шоттки от GPT на основе SiC. Карбид-кремниевые диоды из этой партии характеризуются следующими параметрами:
- максимальное обратное напряжение, В: 600...1200;
- максимальный прямой ток, А: 4...70;
- диапазон рабочих температур, °С: -55...+175;
- рассеиваемая мощность (при T=25°C), Вт: 93...97;
- обратный ток утечки (при T=25°C), мкА: не более 50;
- корпус: TO-220, TO-247 (монтаж в контактные отверстия).
Диоды и диодные сборки на основе карбида кремния обладают высоким быстродействием и низкой вероятностью теплового пробоя.
Список SiC-диодов GPT в каталоге ООО ТД «Промэлектроника».
