Еще в 2014 году наша страна попала под ряд экономических санкций, которые затрагивали сырьевую сферу, оборонный комплекс и авиастроение.
Нынешняя ситуация мотивировала многих отечественных производителей разрабатывать собственные инновационные продукты и технологии, позволяющие обеспечить технологический суверенитет страны.
Сегодня авиационной промышленности поставлена задача нарастить долю отечественных лайнеров и осуществить поставки более тысячи самолетов для нужд гражданской авиации.
Помимо этого требуется организация полного цикла технического обслуживания и ремонта воздушных судов силами отечественных предприятий с учетом их обязательств по осуществлению поставок воздушных судов, комплектующих и запасных частей к ним. Для этого необходимо проведение полного импортозамещения ЭКБ, используемой в бортовом радиоэлектронном оборудовании (БРЭО), которая в значительной степени состоит из изделий зарубежного производства.
Для решения этих задач в конце прошлого года ученые из Воронежа приступили к реализации нового комплексного проекта «Разработка и освоение серийного производства серии импульсных LDMOS-транзисторов с выходной мощностью до 1000 Вт для авионики и радарных систем в UHF, L и S диапазонах частот».
Российские инженеры создадут серию из 5 мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для работы в определенном диапазоне рабочих частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования на основе отечественной LDMOS-технологии.
Кроме новинок будущего, нельзя не отметить разработки прославленного НИИ, которые уже сегодня применяются во многих отечественных компаниях. Актуальной задачей для гражданского рынка является разработка и постановка на серийное производство новых усилительных транзисторов с характеристиками, отвечающими требованиям современных стандартов цифрового телевизионного вещания.
Специалисты АО «НИИЭТ» создали транзисторы, не имеющие аналогов. Разработанные новинки характеризуются высокой удельной выходной мощностью и малыми значениями удельных емкостей. Работа по их созданию выполнялась при финансировании в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252.
Основной областью применения данных транзисторов являются усилители телевизионных сигналов, но благодаря их передовым характеристикам, транзисторы позволят улучшить параметры аппаратуры и в других областях, таких как, системы радиолокации и навигации.
