Сегодня перед российской авиационной промышленностью в условиях санкций, запретивших поставки новых и обслуживание используемых иностранных самолетов, поставлена задача нарастить долю отечественных лайнеров с нынешних 33% до 81% и осуществить поставки 1036 самолетов для нужд гражданской авиации.
Также необходима организация полного цикла технического обслуживания и ремонта воздушных судов силами отечественных предприятий с учетом их обязательств по осуществлению поставок воздушных судов, комплектующих и запасных частей к ним. Для этого требуется проведение полного импортозамещения ЭКБ, используемой в бортовом радиоэлектронном оборудовании (БРЭО), которая в значительной степени состоит из изделий зарубежного производства. Реализация нового комплексного проекта «Разработка и освоение серийного производства серии импульсных LDMOS-транзисторов с выходной мощностью до 1000 Вт для авионики и радарных систем в UHF, L и S диапазонах частот» позволит эту задачу частично решить.
Заявленный срок реализации проекта: 19.12.2023 г. – 30.09.2030 г.
Специалисты АО «НИИЭТ», входит в Группу компаний «Элемент», создадут серию из 5 мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для работы в определенном диапазоне рабочих частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования. В основе – новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая все достижения отечественной микроэлектроники в данной области за последние годы, и отработанная в ходе выполнения проводимых за счет собственных средств НИР и реализации комплексного проекта, субсидированного из федерального бюджета.
Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 1 предназначен для работы в усилителях мощности систем бортового радионавигационного оборудования, обеспечивающего безопасность посадки в метеорологических условиях, не обеспечивающих безопасного визуального захода на посадку. Прямых зарубежных аналогов транзистор не имеет.
Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 2 предназначен для работы в усилителях мощности радиотехнической системы ближней навигации (РСБН). Зарубежным аналогом данного типа транзистора является BLA6H0912L-1000 фирмы Ampleon.
Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 3 предназначен для работы в усилителях мощности обзорных радиолокационных станций авиационного и наземного базирования. Зарубежным аналогом транзистора является BLL8H1214L-500 фирмы Ampleon.
Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 4 предназначен для работы в усилителях мощности авиационной системы государственного опознавания. Прямых зарубежным аналогов транзистор типа 4 не имеет.
Мощный импульсный LDMOS-транзистор типа 5 предназначен для работы в усилителях мощности радиолокационных станциях S-диапазона, в том числе метеорологических. Его зарубежным аналогом является MRF8P29300HR6 фирмы Freescale Semiconductor (сейчас входит в NXP).
Применение в составе аппаратуры разрабатываемых в рамках данного комплексного проекта отечественных мощных СВЧ LDMOS-транзисторов позволит достичь более высоких энергетических параметров, в первую очередь – высокую выходную импульсную мощность. Сегодня не существует отечественных транзисторов, способных выдавать высокую выходную мощность на характерных для авиационного БРЭО диапазона частот с требуемым уровнем коэффициента полезного действия и усиления. Между тем, высокая выходная мощность позволяет увеличить дальность действия радиолокационных средств либо сократить число используемых в них усилительных элементов, благодаря чему произойдет уменьшение габаритов и массы оборудования, что очень важно в авиационном применении. В сравнении с применением зарубежных аналогов – меньшая стоимость конечного изделия, отсутствие риска срыва поставок из-за санкций.
К новым изделиям, разрабатываемым в рамках проекта, предъявляются следующие конструктивные требования:
• Транзисторы изготавливаются в металлокерамических корпусах КТ-103А-2 по ГОСТ Р 57439-2017.
• Габаритные, установочные, присоединительные размеры изделия, а также способ его крепления в аппаратуре устанавливаются в ходе ОКР.
• Масса изделия должна быть не более 20 г.
• Выводы транзистора должны выдерживать без механических повреждений воздействие растягивающей силы 10 Н (1 кгс), направленной вдоль оси вывода.
• Изделия должны быть герметичными. Показатель герметичности транзисторов по эквивалентному нормализованному потоку – не более 1 Па·см3/с.
• Изделия разрабатывают в конструктивном исполнении, предназначенном для ручной сборки аппаратуры.
• Конструкция изделия и технология его изготовления должны обеспечивать конструктивно-технологические запасы и запасы по параметрам относительно основных технических требований.
Транзисторы должны быть стойкими к воздействию механических и климатических факторов и отвечать требованиям надежности, таким как:
• интенсивность отказов транзисторов в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых настоящими ТУ, должна быть не более 1×10–6 1/ч в пределах наработки tН 25 000 ч.
• 98-процентный срок сохраняемости транзисторов при хранении их в условиях по ГОСТ 21493 должен быть не менее 10 лет.
Планируемый объем продаж изделий (планируемая выручка) на период 2027-2030 гг. (с НДС, накопленным итогом): 345 936 000,00 руб.
Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых в рамках реализации комплексного проекта высокотехнологичных рабочих мест: 6 ед.
Количество создаваемых результатов интеллектуальной деятельности, охраняемых патентами или иными охранными документами и (или) охраняемых в качестве секретов производства (ноу-хау): 8 шт., в том числе:
– секреты производства (ноу-хау) – 5;
– свидетельства о регистрации топологии интегральных микросхем – 2;
– патент на изобретение – 1.
Для выполнения данного комплексного проекта будут использованы производственные активы в части сборки, проведения измерений и испытаний, принадлежащие АО «НИИЭТ» (ГК «Элемент»). Для производства полупроводниковых пластин с транзисторными кристаллами будут задействованы производственные мощности ведущего производителя изделий микроэлектроники в России АО «Микрон» (ГК «Элемент»), привлекаемого в качестве соисполнителя.
