ГОСТ 17704-72. Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений

Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений.

Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с р-гг переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления.

1. КЛАССИФИКАЦИЯ.

1.1. Классификация фотоэлектрических полупроводниковых приемников лучистой энергии должна соответствовать схеме, представленной на чертеже.

2. СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЯ.

2.1 Первый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет группу приемника:

• фоторезисторы неохлаждаемые — ФР;
• фоторезисторы охлаждаемые — ФРО;
• приемники фотомагнитные неохлаждаемые — ФМ;
• приемники фотомагнитные охлаждаемые — ФхЧО;
• нефотоприемники с р-п переходами с внутренним усилением неохлаждаемые — ФУ;
• фотоприемники с р-п переходами с внутренним усилением охлаждаемые — ФУО;
• фотоприемники с р-п переходами без усиления неохлаждаемые— ФД;
• фотоприемники с р-п переходами без усиления охлаждаемые— ФДО.

2.2. Второй элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет материал, из которого изготовлен прибор. Обозначение материала должно соответствовать указанному в таблице.

Материал фоточувствительного элемента в обозначении приемника записывается либо в буквенном, либо в цифровом варианте в зависимости от назначения (области применения) приемника.

Материал фоточувствительного элемента в обозначении приемника записывается либо в буквенном, либо в цифровом варианте в зависимости от назначения (области применения) приемника.

2.3. Третий элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет порядковый номер разработки приемников в подгруппе и обозначается от 001 до 999.

2.4. Четвертый элемент обозначения полупроводниковых фотоэлектрических приемников лучистой энергии определяет подгруппу приемников:

• фоторезисторы многоэлементные — П (одно- и двухэлементные фоторезисторы обозначения подгруппы не имеют);
• фототранзистор униполярный — У;
• фототранзистор биполярный — Б;
• фотодиод лавинный — Л;
• фототиристор — Т;
• фотодиод координатный—К (некоординатные фотодиоды обозначения подгруппы не имеют).

2.5. В технически обоснованных случаях допускается присвоение полупроводниковым приемникам лучистой энергии сокращенных и дополнительных обозначений, что должно быть оговорено в стандартах или другой технической документации на приборы конкретных типов, утвержденных в установленном порядке.

2-6. Примеры условных обозначений приемников лучистой энергии приведены ниже:

• ФД-ГЗ—001К — фотодиод неохлаждаемый из германия, легированного золотом, предназначенного для широкого применения, координатный. Номер разработки 001.
• ФРО-51—011П — фоторезистор охлаждаемый из сульфида свинца, предназначенного для специального применения, многоэлементный. Номер разработки 011.