Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер.
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор—эмиттер э нас и напряжения насыщения база-эмиттер (Убэ нас в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах.
Общие условия при измерении напряжения насыщения коллектор—эмиттер и база — эмиттер транзисторов должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0—83.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 4289—83.
1.МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ НАСЫЩЕНИЯ КОЛЛЕКТОР — ЭМИТТЕР И БАЗА — ЭМИТТЕР НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ
1.1. Принцип и условия измерения.
1.1.1. Измерение заключается в определении напряжения между выводами транзистора в режиме насыщения при заданных постоянных токах коллектора и базы.
1.1.2. Напряжение питания коллектора должно быть меньше граничного напряжения ^кэоГр или равно ему.
Если значение С/дзогр не нормируют, то напряжение питания коллектора не должно превышать максимально допустимого значения постоянного напряжения коллектор — эмиттер.
1.1.3. Значения тока базы 7 б и тока коллектора /к, значение граничного напряжения t/кэогр указывают в нормативно-технической документации на транзисторы конкретных типов.
👉 Подписывайтесь на Elec.ru. Мы есть в Телеграм, ВКонтакте и Одноклассниках