Россия продолжает развитие микроэлектроники — в стране появятся собственные фотолитографические установки

Россия становится ещё на шаг ближе к тому, чтобы полностью избавиться от импортных технологий и оборудования в производстве полупроводников и компонентов на их основе. Недавно Зеленоградский нанотехнологический центр объявил о начале проектных работ, связанных с «желаниями» Минпромторга получить независимость в этой сфере от зарубежного «присутствия».

В рамках долгосрочных стратегий по развитию отечественной микрорадиоэлектронной промышленности зеленоградское научное предприятие заключило с Министерством промышленности и торговли РФ два соглашения. Первое касается разработки и создания сканеров с топологическим уровнем до 350 нанометров, а второе — до 130. Итогом подписанных соглашений должно стать появление в стране российских литографов, способных полностью заменить иностранные установки и оборудование.

Предполагается, что первые результаты взаимодействия государства с наукоёмкими отраслями появятся не ранее, чем в 2025 году. К этому времени на территории РФ должно быть освоено производство 350-нанометовых фотолитографов. Также не исключается и тот факт, что к этому же времени для подобных установок будут разработаны и российские лазеры, использующиеся для работы с кремниевыми подложками. Отметим, что рабочий прототип, на основе которого будет проводится становление серийного производства высокотехнологичного оборудования, должен появится, как предписывает заключённое соглашение, уже в 2024 году.

Технически, отечественный 350-нанометровый фотолитографический сканер будет иметь вид установки, весом в 3.5 тонны и габаритными размерами 2×2.6×2.5 метра, дополнительным оснащением для которой станет управляющий комплекс чуть меньшего размера — 2×0.8×1.6 м. Работа комплекса будет ориентирована на обработку 150-200 мм подложек из кремния.

130-нанометрровый фотолитограф появится чуть позже. Для него «с чистого листа» создадут 193-нм лазер. Российское лазерное оптическое устройство необходимо, как уже было сказано ранее, для замены использующегося зарубежного оборудования. Во-первых, это отвечает стратегии импортозамещения, во-вторых, предотвратит высокоинтеллектуальное и технологичное оборудование от потенциальных кибер-угроз и информационных утечек, связанных с ними, в-третьих, сделает эту технологию значительно дешевле для российской промышленности. Сейчас на значительной части предприятий РФ, занимающихся полупроводниками, установлены лазеры компании Cyber. Именно созданием отечественного аналога зарубежным лазерным технологиям и объясняется годовое отставание от 350-нанометрового фотолитографа. Таким образом второй вид сканера встанет в строй в начале 2026 года и сможет производить обработку сотни 200 мм кремниевых пластин ежечасно.

Предполагается, что российская полупроводниковая отрасль на этом не будет останавливаться. В планах, после полноценной интеграции 350- и 130-нанмоетрового сканеров в микрорадиоэлектронную отрасль РФ, организовать скорейшее их улучшение, вплоть до 65 нм.

Как заявляют представители Зеленоградского нанотехнологического центра, сейчас для научного и промышленного сообщества РФ получить собственные технологии и оборудование для работы с микроэлектроникой в диапазоне от 250 до 65 нм — чрезвычайно важная задача. Это самые востребованные типоразмеры и необходимо полностью освоить их самостоятельное производство, чтобы абсолютно не зависеть от зарубежных поставщиков и условий, диктуемых ими, в том числе, и следуя политической обстановке на мировой арене.

Источник: Elec.ru