CoolMOS CE — это новая технологическая платформа для высоковольтных моп-транзисторов Infineon, разработанных в соответствии с революционным принципом суперперехода (SJ). Линейка 500В CE имеет все преимущества быстродействующих моп-транзисторов SJ. Как и вся серия CE, транзисторы IPD50R1K4CE обеспечивают чрезвычайно низкие потери и делают коммутационные решения более эффективными, компактными и легкими. При этом IPD50R1K4CE имеют лучшее соотношение цены и качества на рынке.
Технические характеристики:
- Наименование: IPD50R1K4CE
- Маркировка: 5R1K4CE
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
- Пороговое напряжение включения (Ugs(th)): 3,5 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3,1 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 8,2 нКл
- Время нарастания (tr): 6 нс
- Выходная емкость (Cd): 11 пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1,26 Ом
- Тип корпуса: ТО-252
Особенности:
- Чрезвычайно низкие потери из-за очень малых FOM, Rdson, Qg и Eoss
- Очень высокая коммутационная прочность
- Простое управление режимом переключения
- Покрытие, не содержащее свинец
- Не содержащий галогенов компаунд корпуса
- Улучшенная эффективность при малой нагрузке
- Подходит для применения в бытовой аппаратуре
Применение:
- Каскады PFC, каскады ШИМ с жесткой коммутацией и каскады резонансной коммутации, например, для PC Silverbox, адаптеров, ЖК- и PDP-телевизоров и внутреннего освещения.